МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ АIIIВV
• Приемники УФ - излучения;
• Лазеры УФ диапазона;
• Оптические линзы HIRES (High Index Resolution Enhancement by Scattering).
• Приемники излучения (фотодиоды, солнечные батареи);
• Активные элементы в объемной голографии; инжекционные лазеры
• Лазерные диоды;
• Генераторы СВЧ техники.
• Спинтроника;
• Волоконно-оптические линии передачи информаци.
- Разработка и изготовление поликристаллического фосфида галлия
- Разработка и изготовление поликристаллического фосфида индия
-
Разработка и производство монокристаллического фосфида галлия, легированного серой, цинком, нелегированного диаметром 2”,3”
- Разработка и производство монокристаллического фосфида индия, легированного железом, цинком, нелегированного диаметром 2”,3”
- Разработка и изготовление обезвоженного борного ангидрида
- Разработка и изготовление оптических элементов на основе монокристаллов CdMnTe дляизоляторов и вращателей Фарадея
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ФОСФИДА ГАЛИЯ
• Светодиоды;• Приемники УФ - излучения;
• Лазеры УФ диапазона;
• Оптические линзы HIRES (High Index Resolution Enhancement by Scattering).
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ФОСФИДА ИНДИЯ
• СВЧ транзисторы;• Приемники излучения (фотодиоды, солнечные батареи);
• Активные элементы в объемной голографии; инжекционные лазеры
• Лазерные диоды;
• Генераторы СВЧ техники.
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ CdMgTe
• Спинтроника;
• Волоконно-оптические линии передачи информаци.