Полупроводниковые материалы на основе соединений АIIВVI

МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ АIIIВV

•        Разработка и изготовление поликристаллического фосфида галлия
•        Разработка и изготовление поликристаллического фосфида индия
•        Разработка и производство монокристаллического фосфида галлия, легированного серой, цинком, нелегированного диаметром 2”,3”
•        Разработка и производство монокристаллического фосфида индия, легированного железом, цинком, нелегированного диаметром 2”,3”
•        Разработка  и изготовление обезвоженного борного ангидрида
•        Разработка и изготовление оптических элементов на основе монокристаллов CdMnTe дляизоляторов и вращателей Фарадея

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ФОСФИДА ГАЛИЯ

      •  Светодиоды;
      •  Приемники УФ - излучения;
      •  Лазеры УФ диапазона;
      •  Оптические линзы HIRES (High Index    Resolution    Enhancement by Scattering).

 ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ФОСФИДА ИНДИЯ

      •  СВЧ транзисторы;
      •  Приемники излучения (фотодиоды, солнечные батареи);               
      •  Активные элементы в объемной голографии;     инжекционные лазеры
      •  Лазерные диоды;
      •  Генераторы СВЧ техники.

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ CdMgTe

      •  Оптические элементы изоляторов и вращателей Фарадея (630÷1100)нм;
      •  Спинтроника;
      •  Волоконно-оптические линии передачи информаци.